下面是小编为大家整理的化工行业：光刻胶，国产化正当时，龙头公司放量即,供大家参考。
风险提 示 事件 ：
光刻胶研发不及预期，光刻胶下游客户认证不及预期 。
内容目录 1 1
光刻胶
..................................................................................................................... . - 6 - 1.1 光刻胶概况............................................................................................ - 6 - 1.2 光刻胶主要用于图形化工艺 .................................................................. - 8 - 1.3 光刻胶分类............................................................................................ - 9 - 2 2
光刻胶市场空间 间............................................................................................. - 10 - 2.1 光刻胶需求不断增长 ........................................................................... - 10 - 2.2 光刻胶竞争格局................................................................................... - 11 - 3 3
光刻胶分类
.................................................................................................... - 12 - 3.1 半导体光刻胶 ...................................................................................... - 12 - 3.2LCD 光刻胶............................................................................................ - 15 - 4 4
相关上市公司 司.................................................................................................. - 18 - 4.1 雅克科技.............................................................................................. - 18 - 4.2 晶瑞股份.............................................................................................. - 18 - 4.3 飞凯材料.............................................................................................. - 19 - 5 5
风险提示 示........................................................................................................ - 21 -
表目录 图
1 1 ：旋涂于硅片上的 光 刻胶
.................................................................................. . - 6 - 图
2 2 ：光刻胶主要成分 占比 比
................................................................................. - 6 - 图
3 3 ：主要的光刻胶体系 系..................................................................................... - 7 - 图
4 4 ：光刻胶主要用于 半 导体图形化工艺
........................................................... - 8 - 图
5 5 ：
TFT- - LCD
光刻工艺示意图 图........................................................................... - 9 - 图
6 6 ：光刻胶按反应原 理 分类 类.............................................................................. - 9 - 图
7 7 ：光刻胶按下游应 用 分类 类.............................................................................. - 9 - 图
8 8 ：全球光刻胶市场 规 模及增速
.................................................................... - 10 - 图
9 9 ：光刻胶下游应用 结构 构
............................................................................... - 10 - 图
10 ：中国光刻胶市场 规 模、需求量及均价 价.................................................... - 10 - 图
11 ：中国光刻胶产量 及 本土产量................................................................... - 10 - 图
12 ：国内光刻胶产值 份额 额.............................................................................. - 11 - 图
13 ：全球光刻胶格局 局..................................................................................... - 11 - 图
14 ：全球半导体市场 及 增速 速.......................................................................... - 12 - 图
15 ：国内半导体行业 发 展迅速
...................................................................... - 12 - 图
16 ：全球各地区半导 体 材料市场占比
........................................................... - 12 - 图
17 ：半导体制造材料 占比 比.............................................................................. - 12 - 图
18 ：全球半导体光刻 胶 市场规模及增速........................................................ - 13 - 图
19 ：全球半导体光刻 胶 市场份额（按区域）
................................................ - 13 - 图
20 ：半导体光刻胶 胶......................................................................................... - 13 - 图
21 ：半导体光刻胶分类 类................................................................................. - 13 - 图 22：全球面板需求面积及增速...................................................................... - 15 - 图 23：中国厂商 TFT LCD 产能快速增长 ........................................................ - 15 - 图 24：中国大陆面板光刻胶市场需求量........................................................... - 15 - 图 25：LCD 光刻胶种类及主要供应商 ............................................................. - 16 - 图 26：彩色和黑色光刻胶的应用...................................................................... - 16 - 图 27：TFT Array 正性光刻胶的应用............................................................... - 17 - 图 28：中国 LCD 光刻胶进展........................................................................... - 17 - 图
29 ：公司营业收入及 增速 速.............................................................................. - 18 - 图
30 ：公司归母净利润 及 增速 速.......................................................................... - 18 - 图
31 ：晶瑞股份营业收 入 及增速
...................................................................... - 19 - 图
32 ：晶瑞股份归母净 利 润及增速................................................................... - 19 - 图
33 ：飞凯材料营业收 入 及增速
...................................................................... - 20 -
图
34 ：飞凯材料归母净 利 润 及 增速
..................................................................... . - 20 -
1 1
光刻胶
1.1
光刻 胶 概 况
光刻胶又称光致抗蚀剂，是光刻工艺的关键化学品，主要利用光化学反应将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上，被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作，下游主要用于集成电路、面板和分立器件的微细加工，同时在 LED、光伏、磁头及精密传感器等制作过程中也有广泛应用，是微细加工技术的关键性材料。光刻胶的主要成分为树脂、单体、光引发剂及添加助剂四类。其中，树脂约占 50%，单体约占 35%。
图
1 1 ：旋 涂 于硅 片 上的 光刻胶
图
2 2 ：光 刻 胶主 要 成分 占比
资料来源：信越集团官网、中泰证券研究所 资料来源：《现代化工》、中泰证券研究所 光刻胶自 1959 年被发明以来就成为半导体工业最核心的工艺材料之一。随后光刻胶被改进运用到印制电路板的制造工艺，成为 PCB
生产的重要材料。二十世纪 90
年代，光刻胶又被运用到平板显示的加工制作，对平板显示面板的大尺寸化、高精细化、彩色化起到了重要的推动作用。在微电子制造业精细加工从微米级、亚微米级、深亚微米级进入到纳米级水平的过程中，光刻胶起着举足轻重的作用。
在此过程中，光刻技术经历了紫外全谱（300～450nm）、G
线（436nm）、I
线 （365nm）、深紫外（DUV,包括 248nm 和 193nm）和极紫外（EUV）六个阶段，。相对应于各曝光波长的光刻胶也应运而生，光刻胶中的关键配方成份，如成膜树脂、光引发剂、添加剂也随之发生变化，使光刻胶的综合性能更好地满足工艺要求。目前因为较为广泛的主要包括以下光刻胶：
g
线光刻胶对应曝光波长为 436nm 的 g 线，制作 0.5
µ m 以上的集成电路。
i 线光刻胶对应曝光波长为 365nm 的 i 线，制作 0.5-0.35 µ
m 的集成电路。g线和 i 线光刻胶是目前市场上使用量最大的光刻胶，都以正胶为主，主要原料为酚醛树脂和重氮萘醌化合物。
KrF 光刻胶对应曝光波长为 248nm 的 KrF 激光光源，制作 0.25-0.15 µ
m 的集成电路，正胶和负胶都有，主要原料为聚对羟基苯乙烯及其衍生物和光致产酸剂。KrF 光刻胶市场今后将逐渐扩大。
15
50
35
树脂 单体 光引发剂及助剂
图
3 3 ：主 要 的光 刻 胶体 系
ArF 光刻胶对应曝光波长为193nm 的ArF 激光光源，ArF 干法制作 65-130 nm的集成电路，ArF
浸湿法可以对应 45nm
以下集成电路制作。ArF 光刻胶是正胶，主要原料是聚脂环族丙烯酸酯及其共聚物和光致产酸剂。ArF 光刻胶市场今后将快速成长。
光刻胶 体系
成膜树脂
感光剂
光刻波长
技术节 点 及用
聚乙烯醇肉桂酸
酯系负性光刻胶
聚乙烯醇肉桂酸酯
成膜树脂自身
紫外全谱
（ 300~450nm ）
3 μ m
以上集成电路和半导
体器件
环化橡胶-双叠氮
负胶
环化橡胶
芳香族双叠氮化合
物
紫外全谱
（ 300~450nm ）
2 μ m
以上集成电路和半导
体器件
酚醛树脂-重氮萘
醌正胶
酚醛树脂
重氮萘醌化合物
G
线（ 436nm ）
I
线（ 365nm ）
0.5 μ m
以上集成电路
0.35 μ m-0.5 μ m
集成电路
248nm
光刻胶
聚对羟基苯乙烯及
其衍生物
光致产酸剂
KrF （ 248nm ）
0.25 μ m-0.13 μ m
集成电
路
193nm
光刻胶
聚脂环族丙烯酸酯及其共聚物
光致产酸剂
ArF （ 193nm
干法）
ArF （ 193nm
浸没法）
130-65nm
集成电路
45nm ， 32nm
集成电路
EUV
光刻胶
聚酯衍生物分子玻
璃单组份材料
光致产酸剂
极紫外
（ EUV ， 13.5nm ）
32nm ， 22nm
及以下集成
电路
电子束光刻胶体
系
甲基丙烯酸酯及其
共聚物
光致产酸剂
电子束
掩膜版制备
纳米压印紫外光
刻胶体系
丙烯酸酯类；环氧
树脂；乙烯基醚
自由基型光引发剂；
阳离子光引发剂
紫外光
电子学、生物学、光学等领
域
资料来源：《光刻材料的发展及应用》、中泰证券研究所
1.2
光刻 胶 主 要用 于 图 形 化 工 艺
以半导体行业为例，光刻胶主要用于半导体图形化工艺。图形化工艺是半导体制造过程中的核心工艺。图形化可以简单理解为将设计的图像从掩模版转移到晶圆表面合适的位置。一般来讲图形化主要包括光刻和刻蚀两大步骤，分别实现了从掩模版到光刻胶以及从光刻胶到晶圆表面层的两步图形转移，流程一般分为十步：1.表面准备，2.涂胶， 3.软烘焙，4.对准和曝光，5.显影，6.硬烘焙，7.显影检查，8.刻蚀，9.去除光刻胶，10.最终检查。
具体来说，在光刻前首先对于晶圆表面进行清洗，主要采用相关的湿化学品，包括 丙酮、甲醇、异丙醇、氨水、双氧水、氢氟酸、氯化氢等。晶圆清洗以后用旋涂法在表 面涂覆一层光刻胶并烘干以后传送到光刻机里。在掩模版与晶圆进行精准对准以后，光 线透过掩模版把掩模版上的图形投影在光刻胶上实现曝光，这个过程中主要采用掩模版、光刻胶、光刻胶配套以及相应的气体和湿化学品。对曝光以后的光刻胶进行显影以及再 次烘焙并检查以后，实现了将图形从掩模版到光刻胶的第一次图形转移。在光刻胶的保 护下，对于晶圆进行刻蚀以后剥离光刻胶然后进行检查，实现了将图形从光刻胶到晶圆 的第二次图形转移。目前主流的刻蚀办法是等离子体干法刻蚀，主要用到含氟和含氯气 体。
图
4 4 ：光 刻 胶主 要 用于 半导 体图形 化 工 艺
资料来源：《芯片制造》、中泰证券研究所 在目前比较主流的半导体制造工艺中，一般需要 40
步以上独立的光刻步骤，贯穿了半导体制造的整个流程，光刻工艺的先进程度决定了半导体制造工艺的先进程度。光刻过程中所用到的光刻机是半导体制造中的核心设备。目前，ASML
最新的 NXE
3400B 售价在一亿欧元以上，媲美一架 F35
战斗机。
图
5 5 ：
TFT- - LCD D
光 刻工 艺示 意 图
资料来源：晶瑞股份招股说明书、中泰证券研究所
1.3
光刻 胶 分 类
光刻胶按显示的效果，可分为正性光刻胶和负性光刻胶，如果显影时未曝光部分溶解于显影液，形成的图形与掩膜版相反，称为负性光刻胶；如果显影时曝光部分溶解于显影液，形成的图形与掩膜版相同，称为正性光刻胶。
图
6...
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